10
20
2022
20N65B为N沟道增强型VDMOS,采用平面工艺,该产品广泛适用于AC-DC开关电源,比如:LED照明驱动电源;工业自动化设备配套电源;医疗设备电源;锂电池充电器;电源适配器,其他MOS管品牌替代型号:20N65 等。
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10
20
2022
针对功放系统的高效率、低失真度和EMI等特性表现,FHP45N20W采用平面工艺VDMOS,拥有优异的抗冲击特性前提下优化Rdson、 Qg、trr等参数,从而广泛适配使用在Class-D功放电路上,如汽车功放、DSP功放上。替代型号:IRFB38N20D 等
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07
13
2022
飞虹1906A采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM(RDSon*Qg),广泛使用在逆变器、储能电源上。其他MOS管品牌替代型号:1906 等
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07
13
2022
FHP13N50W采用平面工艺芯片,广泛使用在逆变器、开关电源上。其他MOS管品牌替代型号:13N50 等。
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12
24
2021
飞虹70N04LA,Trench N-Chanel MOSFET PDFN5×6-8L封装产品,具有RDS(ON)小,EAS性能好等特点,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于各类开关应用、BMS、和直流电机驱动(吸尘器/扫地机/电动工具)。其它mos管品牌替代型号:ZM042N04N、AON6236、VS4610AP。
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12
24
2021
飞虹60N1F10LA,SGT MOSFET DFN5×6-8L ,采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动。
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10
12
2021
飞虹P60N06B采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,广泛使用在汽车功放电源等抗冲击需求的应用场景;其它mos管品牌替代型号:50N06、55N06、65N06。
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09
30
2021
采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻,飞虹产品具有宽泛的BV电压,快速的开关能力和优异的抗短路性能,TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源,储能电源,园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管:SVG095R0NT、 IPP052N08N5
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09
30
2021
飞虹60N1F10A,采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻,飞虹产品具有宽泛的BV电压,快速的开关能力和优异的抗短路性能,TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源,UPS,储能电源,园林工具和BLDC电机驱动等。可替代场效管:STP80N10F、SVG10120NAT、IPP126N10N3G
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10
17
2019
飞虹65R420,应用于65W-PD快充电源的初级开关管;对标东微场效应管品牌型号:OSG65R380FF;其他MOS管品牌替代型号:TK12A60W (东芝)、IPA60R600P7S等。
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17
2019
飞虹65R360A,N沟道 Cool-MOS管,主要应用于开关电源。对标其它场效应管品牌型号:IPA60R380P6;
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08
2018
随着新国标的出台以及国家政策的支持,锂电池销售热潮来袭
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05
23
2017
830为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品广泛适用于DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动,150W逆变器的后级电路。
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05
23
2017
FHP640A,可适用于48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路(Q1-Q2),也可适用于AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路(Q3-Q6)。可替代IR场效应管品牌型号:IRF640;
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05
23
2017
飞虹FHA24N50W,plane VDMOSFET,采用平面工艺芯片,拥有高抗冲击能力,适用于各类开关电源,可用在1500W额定功率逆变器全桥电路结构上,最大可支持到2000W功率,完全足够适用在1500W额定功率的逆变器上,可完全替代飞虹原有的FHA24N50B和ON的FDA24N50/FDA24N50F型号。
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05
23
2017
20N60高压mos管(对标型号:FQP20N60、TK20A60T),F/P封装形式,为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC 电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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05
23
2017
飞虹18N50mos管,为N沟道增强型低压功率场效应管。该产品广泛适用于DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,开关电源/紫外线灯电子镇流器。
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05
23
2017
12N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于各类开关电源,120~150W的AC-DC开关电源。,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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05
23
2017
10N60高压mos管(对标型号:FQP10N60、TK10A60D),为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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05
23
2017
飞虹8N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于各类开关电源,AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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05
23
2017
飞虹FHF7N65F高压mos管,可适用于45W-60W的AC-DC开关电源。
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05
23
2017
FHU5N60/FHD5N60高压mos管(对标型号:FQP5N60),为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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05
23
2017
飞虹4N65系列产品,为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于各类开关电源,35W的AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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05
23
2017
FHP4N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。 该产品广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器, 高压H桥PMW马达驱动。其它品牌替代型号:FQP4N60;
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05
22
2017
飞虹4410,N沟道沟槽工艺MOS管,适用于72V/24-30管电动车控制器电路。可替代场效管:IRFB4410、10H16
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05
22
2017
飞虹3205场效应管,N沟道平面工艺MOS管,适用于300W/12V输入的逆变器的前级电路。其它品牌替代型号:IRF3205。
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05
22
2017
飞虹1404,N沟道沟槽工艺MOS管,适用于500W/12V输入的逆变器的前级电路。可替代场效管:IRF1404、HY4004
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05
22
2017
FHP540C采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,可使用在步进电机驱动器上,适配各类机械手臂、机床设备、升降桌椅等终端应用场景。替换场效管:IRF540 等
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05
22
2017
飞虹100N07低压mos管,N沟道沟槽工艺MOS管,适用于48V/12管的电动车控制器/12V输入的250W逆变器。可替代场效管:HY1707、RU7088
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05
22
2017
飞虹80N07低压mos管 (对标替代型号:STP80NF07F4、RU6888、HY1607) ,N沟道沟槽工艺MOS管,适用于36V-48V/6管的电动车控制器/锂电池保护板。可替代场效管:STP80NF07F4、RU6888、HY1607
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