MOS管导通电阻一般用于分压及尽快泄放拦击电荷，避免出现全桥短路的情况。而在使用过程中，高压MOS管的导通电阻都是决定耗散功率的重要参数，所以应用好MOS管导通作用能够提升设备效率。今天，为了大家能够更好的应用MOS管，飞虹MOS管厂家分享一下该怎么降低高压MOS管的导通电阻。

降低高压MOS管导通电阻的原理与方法

1.不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。

可以推断耐压800V的MOS管的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOS管结构所导致的高导通电阻的根本原因。

2.降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。

可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOS管关断时，mos场效应管设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。内建横向电场的高压MOS管的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图所示。

当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOS管内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图（b）所示，mos场效应管这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。

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