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> MOS管开关易损失？掌握这些方法能省不少钱！

MOS管开关易损失？掌握这些方法能省不少钱！

文章作者：广州飞虹浏览量：4955 类型：行业资讯日期：2018-03-24 10:45:54 分享：

　　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

广州MOS管厂家

　　不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

　　选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

　　MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

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　　导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

　　质量好的MOS管，开关的损失也比较少。广州飞虹MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年，咨询热线： 400-831-6077。

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